欢迎来IC旗舰店! 请登录| 免费注册
欢迎来IC旗舰店! 您好,| 安全退出
  • 服务热线
    0755-83267817
  • 传真号码
    0755-83267787
  • 在线客服
  • Email
    kyle@yichuanghui.com
客服QQ
当前位置: 网站首页>新闻资讯
> 发布时间:2013-12-06来源:IC旗舰店-深圳市毅创辉电子旗下电子交易平台分类:新品介绍

意法半导体和Memoir Systems推出全新集成电路IC和系统芯片的内部存储器

横跨多重电子应用领域,全球领先的半导体供应商意法半导体宣布与Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术。新技术将用于制造采用全耗尽型绝缘层上硅技术的专用集成电路IC和系统芯片的内部存储器。

当集成到采用FD-SOI技术的产品时,Memoir Systems的算法存储器没有损失任何性能,这归功于 FD-SOI在功耗和性能上的优势。此外FD-SOI的极低软错误率结合超低泄漏电流对于包括网络、交通、医疗和航空等关键应用意义重大。

意法半导体设计支持和服务执行副总裁Philippe Magarshack表示:FD-SOI工艺本身而言,FD-SOI配备了ASICSoC设计工具,与其它制造工艺相比,它可实现速度更快,散热更低。而且增加了Memoir Systems的知识产权后,我们把FD-SOI产品变得更具吸引力,并展示了其简单的移动特点。

Memoir Systems共同创办人兼首席执行官Sundar Iyer表示:我们专注于突破存储器技术,实现更短的设计周期和极高的性能,这使我们的同类最优的算法存储技术能够嵌入FD-SOI平台,这对于我们和客户都具有重要意义。简单的移动特点结合有目共睹的优异性能证实,FD-SOI可实现速度更快、散热更低、设计更简单。

作为领先的ASIC生产厂商,意法半导体率先推出了突破性的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)制造工艺,扩展和简化了现有平面体硅制造工艺。FD-SOI晶体管提高了静电特性,缩短了沟道长度,因此工作频率高于采用传统CMOS制造的晶体管。

用户评论
    发表评论
    点击刷新验证码

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室 电话: 0755-83267817 传真:0755-83267787 邮箱 :kyle@yichuanghui。com

    北京赛车pk10玩法 快乐赛车全天人工计划 快乐飞艇如何购买 快乐飞艇是国家发行的吗 快乐飞艇统一开奖吗 快乐飞艇怎么充值 快乐赛车是正规福彩吗 快乐赛车单双 吉林快3 快乐赛车是正规福彩吗