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> 发布时间:2013-10-30来源:IC旗舰店-深圳市毅创辉电子旗下电子交易平台分类:行业新闻

3D集成电路IC芯片技术得到SK海力士公司授权

      SK海力士公司在已授权的3D集成电路IC芯片技术公司美国俄勒冈州比弗顿,BeSang公司。SK海力士,主要生产DRAM和闪存芯片,将授权BeSang公司(它在韩文中的意思是“高高飘扬”)所谓“真正的3D 集成电路IC”的过程中,采用低温工艺打造3D集成电路IC多层一层在同一时间使用传统的通孔,而不是堆放成品模具使用穿透硅通孔(TSV)。

      与SK海力士的专利许可协议,要求技术转让,包括更新的基础上一个五年期的服务费,但不包括协作。此外,协议非排他性的,允许BeSang公司与其他芯片制造商的机会取得类似的交易。

      SK海力士专注于DRAM,NAND闪存,固态硬盘(SSD),和图像传感器,但超出系统集成电路甚至在未来的代工业务。BeSang公司声称,他们已经证明,其3D IC制程工程,不仅与DRAM,但随着各种各样的集成电路类型,包括处理器,数字信号处理器,GPU(图形处理器),专用集成电路,FPGA的系统级芯片,NAND闪存,SRAM,和图像传感器。

它是如何工作的
     BeSang公司始建于2008年,由首席执行官李相云,谁一直在完善其3D IC制程沿原三星工程师Junil公园,开发的第一个原子层沉积高k介质工具。BeSang的新工艺不需要TSV的或专用设备制造多层的3D IC。

     “多器件层上依次层叠现有设备与传统的半导体设备的顶部,说:”EE时报“的独家专访,在BeSang公司Junil公园,高级副总裁兼研究和发展。不像其他3D IC技术,BeSang的真3D IC可实现低温过程,这并不影响下层电路”。

     BeSang的技术标准CMOS逻辑晶圆制造,然后覆盖一层保护介质。为了制造多层存储器上盖的逻辑层,掺杂的硅层(npn型)的供体晶片键合到该组件的顶部与没有对应的需要。往下npn型层被蚀刻完全对齐的垂直的npn型信道的环绕栅极晶体管(SGT的),连接到逻辑层下面,常规通孔。 然后,使用低温的过程中添加的环绕栅极沉积金属或多晶硅。

     最后,电容器制造对3D IC的每个晶体管之上,从而将其转化成他们的逻辑芯片上堆叠DRAM单元。通过反复进行与其他保护性电介质层和施体晶片,可以添加任意数量的DRAM层顶上一个单一的逻辑芯片。

   “BeSang的过程,半导体实现100万互连密度每毫米,至10,000每毫米叠层芯片采用TSV互连仅有100每毫米堆叠封装互连相比。


     当应用的DRAM,BeSang的3D IC技术,旨在提高面密度的DRAM,无需规模向下的特征尺寸,内存厂商所面临的物理限制未来裁员功能的福音。 SK海力士的3D的DRAM可以尽快在2014年开始出现。

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